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Keysight mbp2019 64位破解版

 附安装教程
  • 软件大小:768.88 MB
  • 更新日期:2020-03-18 13:08
  • 软件语言:简体中文
  • 软件类别:机械电子
  • 软件授权:免费版
  • 软件官网:
  • 适用平台:WinXP, Win7, Win8, Win10, WinAll
  • 软件厂商:

10.0
软件评分

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为您推荐:机械电子

  Mbp2019名Keysight Model Builder Program 2019,它是一款由Keysight公司开发的一站式硅器件建模解决方案,可以大幅度的提高设计人员你的建模效率;该程序集成了SPICE仿真,模型参数提取和模型库生成,MBP支持最新的标准模型,包括BSIM-BULK,BSIM-CMG和BSIM-IMG用于逻辑,模拟和RF设计;除了紧凑的模型,MBP还支持宏(子电路)模型和Verilog-A模型;MBP提供自动提取程序包,脚本环境支持提取流程定制,设备目标定义和GUI操作,凭借其卓越的优化技术和先进的MBP功能,为用户提供了最全面,准确和有效的建模解决方案,尤其是对于硅器件;支持高级多栅极FET型号:BSIM-CMG,BSIM-IMG和UTSOI,内置了多个建模软件包,主要用于模型重新定心和SRAM单元模型生成,开放式界面使用户可以使用脚本来自定义建模流程和内部功能,内置的宏模型优化功能结合了高压和版图效果建模,业界最完整的变异建模解决方案,可生成统计模型和失配模型‘基于硅数据或技术规范,可靠性建模软件包可提取MOSRA(1级和3级)和TMI老化模型,配备卓越的优化技术,平衡速度和准确性;友好的用户界面,高效的模型文件管理和模型库支持,具有出色的可用性,跨Keysight Technologies的设备建模平台的集成建模数据流;需要的用户可以下载体验

Keysight mbp2019 64位破解版

新版功能

  一、全新 MOSRA 3 级老化模型提取套件(W8614EP/ET)

  1、用于建立 MOSRA HCI 和 BTI 模型的自动提取流程

  2、支持同时将紧凑模型和分支电路模型作为核心模型

  3、支持手动调谐和自动优化

  4、此流程可以使用 MBP 脚本进一步定制

  二、新的模型目标复位套件(W8626EP/ET)

  1、同时显示误差表和 IMV 图

  2、支持两种不同输入:.mea 和 .csv

  3、根据颜色轻松识别测试合格/不合格结果

  4、可以将误差表导出到 Excel 文件

  三、角调整方面的增强

  1、使您能够根据需要,添加尽可能多的偏移目标

  2、引入“DeviceIndex”以便匹配 NMOS 和 PMOS 对

  3、添加按钮“Extend Devices”,能够对所有 delta_l 和 delta_w(“喇叭口”)图进行扩展仿真

软件功能

  一、查看参数的有效值

  1、当加载模型时,如果有参数的有效值超出边界,MBP 会显示警告信息

  2、在选中“Check Parameter Boundary”(查看参数边界)之后,如果有任何参数的有效值超出边界,MBP 会显示警告信息

  3、在选中“Enable Hard Boundary”(启用硬边界)之后,MBP 的硬边界也会立即对分箱的参数生效

  二、新模型版本

  1、BSIM-BULK 106.2.0

  2、BSIM-IMG 102.9.1

  3、HiSIM_HV 2.4.0

  4、HiSIM2 3.0.0

  5、UTSOI 2.2

  三、其他增强

  1、统计建模套件——增添“Load/Save”(加载/保存)按钮,以便轻松地导入/导出角和失配技术指标文件

  2、Lib Parser——当添加新的程序库时,此前加载的程序库的顺序现在保持不变。此外,在添加了新的程序库后,程序库的伸缩(+ 按钮)将不会进行重置

  3、WAT 映射数据图——增添显示中值线的选项,中值线连接着代表 WAT 映射数据中值的各个点

  4、分箱模型仿真——将与 HSPICE/Spectre 保持一致,如果数据实例超出分箱模型范围,那么内部引擎将得不到仿真结果

软件特色

  1、最全面的PSP模型提取解决方案,具有“local-global”,“local-bin”和独特的全局方法

  2、最完整的高压设备建模包支持最新的HiSIM_HV(SC4),66级和宏模型方法

  3、HiSIM2模型提取包和唯一符合STARC标准的HiSIM / HiSIM_HV模型QA流程

  4、DFM-Aware和布局感知设备建模功能

  5、配备多种面向设计的建模解决方案

  6、所有支持的型号的自动提取流程

安装步骤

  1、用户可以点击本网站提供的下载路径下载得到对应的程序安装包

Keysight mbp2019 64位破解版

Keysight mbp2019 64位破解版

  2、只需要使用解压功能将压缩包打开,双击主程序即可进行安装,弹出程序安装界面

Keysight mbp2019 64位破解版

  3、同意上述协议条款,然后继续安装应用程序,点击同意按钮即可

Keysight mbp2019 64位破解版

  4、可以根据自己的需要点击浏览按钮将应用程序的安装路径进行更改

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  5、弹出以下界面,用户可以直接使用鼠标点击下一步按钮,可以根据您的需要不同的组件进行安装

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  6、现在准备安装主程序,点击安装按钮开始安装

Keysight mbp2019 64位破解版

  7、弹出应用程序安装进度条加载界面,只需要等待加载完成即可

Keysight mbp2019 64位破解版

  8、根据提示点击安装,弹出程序安装完成界面,点击完成按钮即可

Keysight mbp2019 64位破解版

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破解说明

  1、安装所需的KeySigt程序(程序)。

  在设置的和关闭“许可证设置向导”窗口

  2、替换原始的“ EEsof_License_Tools”程序文件夹

  (默认情况下为C:\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools)

  3、用破解的文件夹替换原始的KeySight程序文件夹

  默认情况下适用于ADS 2019 Update1 C:\ Program Files \ Keysight \ ADS2019_Update1

  默认情况下适用于EMPro 2019 C:\ Keysight \ EMPro2019

  默认情况下用于Genesys 2018 C:\ Program Files \ Keysight \ Genesys2018

  对于MBP 2019默认为C:\ Keysight \ MBP_2019

  适用于MQA 2019默认情况下C:\ Keysight \ MQA_2019

  默认情况下用于IC-CAP 2018 C:\ Keysight \ ICCAP_2018

  默认情况下适用于SystemVue 2018 Update1 C:\ Program Files \ Keysight \ SystemVue2018Update1

  WaferPro Express 2016_04的默认设置为C:\ Keysight \ WAFERPROXP_2016_04

  4、以管理员身份运行<“ EEsof_License_Tools”程序文件夹> \ bin \ win32 \ server_install.bat

  (默认情况下C:\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools \ bin \ win32 \ server_install.bat)

  然后等待新服务安装并启动

  5、运行“ SolidSQUADLoaderEnabler.reg”并确认将信息添加到Windows注册表中

  6、重新启动

  7、运行所需的KeySight应用程序

  在“许可证设置向导”窗口中,勾选“我要指定网络许可证服务器”>下一步

  对于“网络许可证服务器名称”,输入23111 @ localhost>下一步>完成

  在程序启动时,从可用软件包列表中选择可用许可证软件包之一

破解方法

  1、首先将软件包中的“_SolidSQUAD_”文件夹解压;复制MBP_2019文件夹到软件安装目录下替换主程序文件夹

  默认路径【C:\Program Files\Keysight\】

  复制“EEsof_License_Tools”文件夹到许可证工具安装目录合并原文件夹,

  默认的路径【C:\Program Files\Keysight\EEsof_License_Tools】

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  2、双击文件“SolidSQUADLoaderEnabler.reg”添加注册表。

Keysight mbp2019 64位破解版

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  3、打开Keysight mbp2019软件,执照伺服机地址输入:23111@localhost

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  4、完成以上操作步骤即可将程序破解完成

Keysight mbp2019 64位破解版

使用说明

  FEOL CMP建模可帮助设计人员和代工厂预测高级节点设计中的CMP热点

  几十年来,半导体制造商一直使用化学机械抛光(CMP)作为将电介质和金属层平滑和整平(平坦化)的主要技术。CMP建模允许设计和制造团队在将实际CMP工艺应用于晶片之前,发现并修复潜在的平面化问题。当前,作为制造设计(DFM)流程的一部分,CMP建模已广泛用于浅沟槽隔离(STI)和线路后端(BEOL)层中的热点检测(图1)。

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  图1. CMP虚拟制造世界。

  但是,对于每个新技术节点,集成电路(IC)的关键尺寸都在不断缩小,这对晶片的平面度和焦点深度(DOF)限制提出了更高的要求。例如,在20nm处,多图案要求创建了一套全新的设计约束条件,以实现成功的双图案制造。当在45nm技术节点上引入后栅极高k金属栅极(HKMG)技术时,在生产线(FEOL)流程的前端引入了两个新的CMP步骤-多晶硅开放平面化(POP)和替代金属栅极( RMG)[1]。在20nm及以下时,这两个CMP步骤对于形成晶体管的栅极特别重要,因为仅几个原子层的栅极高度变化会导致可测量的晶体管性能差异[2]。

  让我们看看构建有效的FEOL CMP模型所需的时间。

  测试图案和测试芯片

  测试芯片在精确的CMP建模开发中起着至关重要的作用,因此构建任何新的CMP模型的第一步就是设计测试图案并制造测试晶圆。在20纳米技术节点处引入的限制性设计规则有助于改善布局的统一性,但无法在FEOL CMP的阵列模块中使用长的平行沟槽。代替沟槽,我们为STI,POP和Al RMG CMP步骤创建了特殊的测试图案,该图案由规则取向的矩形相似的规则图案组成,这些规则的矩形在水平和垂直方向上均由各种间距值隔开。矩形大小的这些不同组合以及它们之间的间隔允许测试图案具有多种密度,宽度和间隔组合。由于HKMG和Al RMG技术的特殊性,POP和Al RMG的测试芯片模式相关。对于POP建模,将多晶硅层的反面(或负片)用于氧化物沉积和抛光,而将正多晶硅层用于Al RMG步骤。在Al RMG技术中,去除牺牲多晶硅(poly)层,然后沉积Al层,然后进行抛光。图2说明了这两个步骤。

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  图2. Al RMG技术的横截面图:(a)多晶硅构图;(b)氧化物沉积和持久性有机污染物;(c)去除多晶硅,沉积铝和抛光。

  测量和数据收集

  CMP建模的下一步是从测试晶圆收集数据。测量包括原子力显微镜(AFM)或其他轮廓仪工具扫描,以及透射电子显微镜(TEM)或扫描电子显微镜(SEM)横截面图像。这些测量数据是模型构建过程的重要组成部分,因为CMP建模并不完全由抛光模型组成。它还包括用于CMP前轮廓生成的沉积模型。建立准确而完整的CMP建模过程的一个挑战是在抛光之前生成CMP前的轮廓。

  在20nm及以下工艺中,利用高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)填充间隙变得越来越具有挑战性,因此出现了新的沉积技术并成为标准技术。可流动的CVD(FCVD),高长宽比工艺(HARP)和增强的HARP(eHARP)沉积可显着提高间隙填充能力,从而产生具有10%长宽比的无空隙间隙填充特征的致密膜:1和更多。使用现代设备,可以获得高质量的AFM或高分辨率轮廓分析器(HRP)的2D和1D扫描,以进行沉积后(CMP前)轮廓分析。然而,由于多阶段工艺的复杂性,建立用于沉积后轮廓高度的基于物理的芯片级模型仍然是一个挑战。

  CMP之后的模型捕获了CMP过程完成后的凹陷和腐蚀等影响。由于20nm FEOL层的特征尺寸非常小,因此使用线扫描来获取CMP后步骤(STI,POP和Al RMG)的准确凹陷测量数据非常具有挑战性。由于在压板1之后的AFM线扫描中存在很高的噪声,因此很难获得干净的腐蚀和凹陷信号。碟形信号要么模糊(由于AFM或其他轮廓分析工具的步长较大),要么与测量中的噪声阶数相同。TEM和SEM图像提供了有价值的信息,但是这种测量昂贵,费时且有局限性。

  模型假设和解决方案

  尽管存在这些挑战,但我们还是使用Caliber CMP ModelBuilder工具构建模型,并使用Caliber CMPAnalyzer工具使用模型来模拟布局,从而在FEOL层的CMP建模方面取得了重大进展。模具级口径CMPAnalyzer工具使用从布局设计中提取的密度,宽度,空间和其他几何网格进行CMP仿真。一个特殊的命令支持正确的几何图形蒙版转换和替换,以对Al RMG步骤建模,从而允许在CMP仿真中进行连续的多层POP和Al RMG层。

  对测量数据的分析表明,与BEOL层的电化学沉积(ECD)轮廓变化相比,FEOL层的沉积后轮廓高度变化非常小。因此,我们预期压板1步骤后不会出现任何明显的腐蚀,这一假设已通过AFM线扫描的分析得到证实。因此,我们可以通过假设沉积后轮廓的简单模型(图3),从后平台1步骤开始建模。

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  图3.(a)STI,(b)POP和(c)AL RMG抛光层堆叠的横截面图。

  这种简化使用户可以克服收集沉积后和压板后1步建模所需的准确测量数据的困难。此外,导致栅极高度变化的凹陷和腐蚀主要出现在最终的CMP步骤中,这时使用高选择性浆料抛光两种材料(氮化物,氧化铝,铜氧化物等)[4]。 。测量表明,对于此最后的CMP步骤,可以收集准确的线扫描数据。图4显示了使用Calibre CMP ModelBuilder产品从线扫描中提取的腐蚀和凹陷数据。

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  图4.从线扫描中提取的侵蚀和凹陷数据。

  模型校准

  CMP建模是过程数据和来自实际硅的测量的结合。工艺数据包括诸如叠层厚度,下压力,抛光速率,浆料选择性,抛光时间和终点检测(EPD)CMP停止条件之类的项目。数据与测量值结合在一起,这些测量值包括从TEM或SEM图像获得的腐蚀,凹陷和厚度数据。图5显示了组合的模型配方,其中包括沉积,蚀刻,抛光步骤和测量数据表。

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  图5.测量数据表和配方窗口。

  由于大多数现代抛光工具使用不同的EPD系统,因此对EPD CMP停止条件进行建模对于识别热点至关重要。我们使用的Calibre CMP ModelBuilder工具支持多种EPD CMP停止条件进行仿真。使用此数据,它可以校准CMP模型参数,以最适合给定过程条件下的测量结果。

  在模型校准开始之前,必须从测量数据中删除异常值。由于测量中的噪声,离群值可能导致较大的校准误差和失配。当在28nm及以下的技术上工作时,尤其如此,其中测量的精度接近探查器工具的精度极限。在某些情况下,数据中的噪声级别可能与腐蚀和凹陷信号的数量级相同。应该进行仔细的数据分析,以从有争议的TEM / SEM和线扫描测量数据中排除异常值。以下示例显示了正确校准的CMP模型的结果,该模型使用TEM和线扫描数据的组合来准确和正确地拟合测量数据。

  在图6中,将STI CMP模型的建模结果与TEM和线扫描数据进行了比较。捕获了总体趋势并显示出很好的拟合度(相关性为90%)。当您认为侵蚀数据很嘈杂时,这些结果尤其是积极的。

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  图6. STI CMP模型数据拟合。

  在图7中,显示了POP CMP模型的校准结果。腐蚀和凹陷数据都非常适合线扫描和TEM数据。在这里,拟合相关度超过90%。

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  图7. POP CMP模型数据拟合。

  在图8中,显示了最后CMP步骤之后的Al RMG CMP模型的校准结果。栅极厚度和腐蚀数据都适合线扫描和TEM测量,相关性超过90%。

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  图8. Al RMG CMP模型数据拟合。

  图6、7和8中显示的数据说明了模型预测与仿真的总体拟合趋势。如前所述,仅使用线扫描数据不足以进行精确的模型构建,这是因为所提取的凹陷值有限,并且腐蚀数据有噪声。由于成本和通常可用的TEM / SEM X射线断面图像数量有限,也很难仅依靠TEM / SEM数据。

  模型验证和热点预测

  在使用来自测试芯片的测量数据对模型参数进行校准之后,下一步就是模型验证。模型验证要求将仿真结果与生产设计的测量结果进行比较。根据模型用户的需求,可能需要几个验证标准。最广泛使用的标准是地形趋势对图案密度的依赖性,以及金属或氧化物厚度值与测量值匹配。

  为了验证我们示例中的模型,我们在生产设计上执行了几个多层STI / POP / Al RMG FEOL CMP仿真。然后,我们使用Calibre CMPAnalyzer工具来分析CMP后的地形颜色图和直方图(图9)。分析表明,这些模型可以准确显示出正确的图案密度与形貌趋势。此外,我们的模拟清楚地表明了最高和最低的地形区域(即设计中可能的地形热点),具体取决于平面性要求。

  图9.多层的颜色图和直方图视图有助于验证模型的准确性。

  我们的仿真表明,在某些设计中,栅极高度上的多层STI / POP / Al RMG FEOL CMP组合仿真热点可能是由STI层中的较大轮廓变化传播到上层引起的。

  后门HKMG技术引入了晶体管结构和制造流程的根本变化。它允许栅极长度缩放和晶体管性能遵循摩尔性能定律,同时显着降低芯片功耗。由于芯片设计,物理验证和制造的复杂性,对不同的芯片生产步骤(例如光刻,光学邻近校正(OPC),蚀刻和CMP)进行建模,对于芯片设计人员和工程师而言都是强大而有用的工具。铸造厂的工艺工程师。使用此处介绍的CMP模型构建方法,我们能够创建高质量的STI,POP和Al RMG FEOL CMP模型。这些模型可以准确地预测来自测试芯片和生产设计的测量数据。

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  Ruben Ghulghazaryan是Mentor Graphics的Design to Silicon Division的首席研发工程师。

  Jeff Wilson是Mentor Graphics机芯组织的DFM产品营销经理。

  Ahmed AbouZeid是Mentor Graphics的Design to Silicon部门的IC设计顾问工程师,专门从事物理验证。

  IMV和DP

  MBP使用户可以优化Vth,Idsat,Ioff或任何用户定义的目标与W / L / T。 例如,参数nlx,dvt0和dvt1可以直接在不同Vb的Vth vs. Lcurve上进行优化。

  MBP支持加载设备参数数据并将其用作调整模型参数的目标

  能够定义验收标准并以不同的颜色显示拟合误差

  同时显示误差表和IMV图

  使用MBP脚本进行目标和绘图定制

  支持将错误表导出到Excel文件

  微波计算器

  MicroWave计算器旨在帮助您计算微波测量中的误差。它由方向性误差计算器,失配误差极限计算器和信噪比计算器组成。

  方向性计算器

  方向性误差计算器根据用于测量的耦合器的方向性,显示未知阻抗的反射测量的精度。这也是将反射系数转换为等效驻波比(SWR),回波损耗或失配损耗的便捷方法。

  失配误差极限计算器

  不匹配误差极限计算器显示由于不完全的源匹配和负载匹配而导致的传输测量中的潜在误差(或不确定性)。它也可以用于反射测量中,以确定由测量端口和未知阻抗之间的不匹配引起的误差。

  信噪比计算器,比率/ dB计算器仅在电压比率,功率比率和dB之间转换。

  天线计算器,天线计算器使用物理和电气参数计算各种天线测量值。

  自由空间路径损耗,它使用标准的自由空间路径损耗作为单个频点的函数。此公式仅适用于站点传输的直接线路。

  Friss方程

  自由空间损耗的Friss方程包括就发射功率而言的增益和路径损耗。此公式计算网络的Rx功率,仅适用于直接传输大小的线路。

  远场计算器

  远场计算器返回距发射天线孔径大约的无功,近场和远场区域(以距离为单位)。为了测量天线的远场辐射方向图并在接收天线孔径处具有平坦的相位-正面,从发射到接收天线的距离必须等于或大于所计算的值。

  噪音计算器,噪声计算器包括与噪声功率,噪声系数和噪声参数的测量有关的各种计算器:

  F,NF,Te计算器,F,NF,Te计算器在噪声系数,噪声系数和有效输入噪声温度之间转换。

  kTB计算器,kTB计算器根据温度和带宽计算噪声功率。

  ENR计算器,ENR计算器在Tcold,Thot和ENR(超大噪声比)之间转换。

  Y因子计算器,Y因子计算器根据Pcold,Phot和ENR计算基于Y因子的噪声系数。

  级联噪声计算器,根据系统噪声系数,接收器噪声系数和DUT增益计算DUT噪声系数。

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